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斷面離子研磨（CP）

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1
概要

使用離子研磨法，為高倍率SEM觀察制作細(xì)微且高精度的斷面試料。

2
特征

可以對(duì)機(jī)械研磨難以加工的高分子和金屬，復(fù)合材料等各種試料進(jìn)行無(wú)應(yīng)力加工，在無(wú)變形、不破壞試料的結(jié)晶構(gòu)造的情況下，可以對(duì)積層形狀、結(jié)晶狀態(tài)、異物斷面進(jìn)行解析。

3
原理

原理：用廣域Ar離子光束照射試料，利用試料原子飛散的濺射現(xiàn)象加工試料。

加工方法：在試料正上方放置濺射速度緩慢的遮擋板，通過(guò)從上而下的廣域Ar離子光束照射，濺射從遮擋板底部露出的試料，制作出沿著遮擋板端面的斷面。

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4
用途

金屬邦定接合部位斷面

焊接部位斷面

確認(rèn)薄膜厚度

5
示例-金屬邦定結(jié)合位置斷面

斷面位置觀察

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通過(guò)EDS觀察對(duì)Cu wire bonding進(jìn)行元素mapping

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